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  • 华邦电子推出高应用度产品: 256Mb, 512Mb, 1Gb DDR2 SDRAM

    高应用度产品: 256Mb, 512Mb, 1Gb DDR2 SDRAM 华邦高应用度之DDR2 SDRAM产品,包括: 256Mb (W9725G6IB系列), 512Mb (W9751G6IB系列), 1Gb (W971GG6IB系列)。华邦所有产品通过ROHS标准,且符合日本绿色采购调查标准化协会(JGPSSI) 严苛标准,适用于各类型的电子产品上. 华邦所有系列具有以下强大优势: W97 DDR2 系列之产品控制可在1.7~1.9V的操作电压下.且可操作于0℃~85℃的操作温度范围 (Tc) 内 (tREF 需为 64 ms), 或可操作于85℃~95℃的操作温度范围 (Tc) 内 (...

  • 华邦电子推出高应用度产品 2Gb DDR2 SDRAM (128Mx16 /256M x8) ,支持一般消费性电子及工业用/车用平台,挑战业界最长产品生命周期!!

    (2015年6月22日台湾新竹讯) 华邦高应用度产品2Gb DDR2能操作于低温-40℃〜95高温(AG3)/105(AG2)/115(AG2 plus)℃工业用/车用电子的作业环境,每项皆符合AECQ-100规范(美国汽车电子协会AEC,汽车电子设备委员会制订的车用可靠性测试标准)。本产品最大特色是提供客户最长产品生命周期支援,供货持续至少十年以上,以保障客户长期使用无虞。 DDR2提供x8的FBGA-60 / X16 FBGA-84的I / O介面,所有的BGA封装皆符合ROHS标准,符合日本绿色采购调查标准化协会 (JGPSSI) 严格规定;速度可达533/ 400/333MHz 。亦适...

  • 华邦电子于中部科学园区举行12吋晶圆厂落成启用典礼

    (台北讯) 华邦电子股份有限公司4月20日假台中科学园区举行12吋晶圆厂落成启用典礼,现场出席的贵宾有国科会副主任委员杨弘敦、中科筹备处代理主任杨文科、台中县长黄仲生、台中市副市长萧家旗及客户、厂商代表等产官学各界人士汇聚一堂,共同见证华邦12吋厂落成启用之历史性一刻。 华邦12吋晶圆厂的落成启用宣示华邦正式跨入12吋厂量产的世代,这项490亿的投资自2004年7月动土,同年12月上梁,2005年9月试产,今年第2季正式量产。该12吋厂共有Fab A及Fab B两个厂, Fab A 目前每个月的产能约 8,000片,预计在年底达到每月24, 000片之生产目标,Fab B产能规划亦为每个月24...

  • 华邦电子发表95年第一季业绩

    (台北讯) 华邦电子股份有限公司于28日对外公布其2006年第一季之营收及获利;第一季营收总计为新台币六十二亿零六百万元,税后盈余为一亿两千四百万元,每股纯益0.03元。第一季之税后盈余相较去年第四季略有成长,第一季之EPS 亦较去年第四季有所改善。 华邦表示,从整体产业环境来看,第一季手持行动装置需求以开发中国家如中国、印度之低阶市场成长较多,高阶产品需求则呈平缓,PC则由于季节性因素需求表现疲软。由于公司策略运用得宜,毛利较上季成长,营业利益亦由负转正,此外Driver IC 事业顺利出售予其乐达公司对业外收入亦小有贡献。 在逻辑产品事业群方面,逻辑产品之营收表现符合预期,其中微控制器相关...

  • 华邦电子推出英特尔规格256Mb DDR400 SDRAM DDR400内存将搭配支持双信道、FSB800Mhz及AGP8X技术的芯片组,提升PC效能并丰富使用经验

    华邦电子推出符合英特尔规格256Mb DDR400 SDRAM颗粒,并将于第二季起大量交货。它可搭配支持双信道、FSB800Mhz及 AGP8X技术的新款Intel865芯片组。DDR400数据传输频宽最高可达3.2GB/s,可将采用P4 CPU的系统整体效能发挥到极致,让消费者能藉由PC享受更丰富的数字媒体、游戏、音乐、相片、以及电影等使用经验。 华邦电子DRAM产品中心协理苏源茂表示:「 我们对率先推出英特尔规格DDR400内存感到相当骄傲 。一直以来,我们都与芯片组供货商 及主机板商进行密切的合作,更新各项技术规格并执行严格的兼容性测试,以确保产品稳定性及整体效能。 」 苏源茂并表示:「...

  • W972GG6KB protect verilog model for Winbond official website

  • W978HxK verilog model for Winbond official website

  • W71NW10GE3FW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GF3FW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • W71NW11GE1EW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GF1EW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...

  • W71NW20GF3FW

    2Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N02GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 2Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 2G-bit/256M-byte Page size 2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • 利基型动态随机存取内存 - 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-第三代

    DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的带宽广並泛用于汽车,工业,电视,机顶盒,网络设备,计算机,BD播放器等。 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们

  • 利基型动态随机存取内存 - 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-第二代

    DDR2 SDRAM以更高的时钟速度提供比DDR SDRAM更大的带宽。在汽车,网络设备,工业,计算机和消费电子产品中广泛使用。 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们

  • 移动随机存取内存 - 低功耗双存取同步动态随机存取内存-第二代

    华邦LPDDR2 SDRAM(低功耗双存取同步动态随机存取记忆体(第二代))产品系列的设计特定的功能以降低功耗,包括部分区域数组自我刷新(PASR),自动温度补偿自我刷新(ATCSR),省电模式,深度睡眠省电模式,和可程式化的驱动输出。 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们

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